RUSmicro

🇨🇳 Память. Технологии. DRAM. Китай

Китайские микросхемы DDR5 от CXMT – не самые технологичные, но спрос находят.

В Китае на кристаллах CXMT уже выпускают линейки оперативной памяти DDR5, например, комплект Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) – его исследовали в TechInsights, а рассказывают об этом в 3dnews.

В планках Gloway стоят микросхемы CXMT с чипами памяти 8,19 х 8,18 мм, площадью, соответственно, 67 кв.мм. Плотность памяти – 0,239 Гбит/кв.мм. Кристалл изготавливают по технологии CXMT G4 (площадь ячейки – 0,002 кв.мм). Шаг ячейки – 29,8; 41,7 и 47.9 нм для активной линии, worldline и bitline, что напоминает о DDR5 других передовых производителей образца 2021 года.

Выход годных у CXMT – высокий, 80%.

Конкуренты, то есть Samsung, SK Hynix и Micron сейчас работают по техпроцессам 12-14нм, причем с использованием фотолитографов EUV, недоступных в Китае из-за санкций США.
Тем не менее в CXMT планируют двигаться дальше, в частности, к технологиям менее 15нм, выпускать чипы по которой попробуют без EUV. Идет подготовка и к выпуску микросхем HBM.

@RUSmicro

#DDR5 #DRAM #память

3DNews - Daily Digital Digest

DDR5 на китайских чипах рвётся на рынок — они слегка уступают чипам SK hynix и Samsung, но стоят дешевле

Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) недавно наладил массовое производство чипов DDR5.

www.group-telegram.com/fr/RUSmicro.com/6518

997 viewsedited  Feb 2 at 15:22

🇨🇳 Память. Технологии. DRAM. Китай

Китайские микросхемы DDR5 от CXMT – не самые технологичные, но спрос находят.

В Китае на кристаллах CXMT уже выпускают линейки оперативной памяти DDR5, например, комплект Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) – его исследовали в TechInsights, а рассказывают об этом в 3dnews.

В планках Gloway стоят микросхемы CXMT с чипами памяти 8,19 х 8,18 мм, площадью, соответственно, 67 кв.мм. Плотность памяти – 0,239 Гбит/кв.мм. Кристалл изготавливают по технологии CXMT G4 (площадь ячейки – 0,002 кв.мм). Шаг ячейки – 29,8; 41,7 и 47.9 нм для активной линии, worldline и bitline, что напоминает о DDR5 других передовых производителей образца 2021 года.

Выход годных у CXMT – высокий, 80%.

Конкуренты, то есть Samsung, SK Hynix и Micron сейчас работают по техпроцессам 12-14нм, причем с использованием фотолитографов EUV, недоступных в Китае из-за санкций США.
Тем не менее в CXMT планируют двигаться дальше, в частности, к технологиям менее 15нм, выпускать чипы по которой попробуют без EUV. Идет подготовка и к выпуску микросхем HBM.

@RUSmicro

#DDR5 #DRAM #память

BY RUSmicro