Открываем очень интересный цикл роликов, который откроет настоящую тайну компании БЕШТАУ: да кто они такие и почему у них все получается так быстро?

Компания БЕШТАУ: от первых российских клавиатур до российских контроллеров и процессоров

00:00 А че так можно было?
00:57 Олег Осипов – Генеральный директор, соучредитель «Бештау»
01:20 Место силы Бештау
06:20 Литограф (анонс)
07:12 Нейрочип для умных протезов (анонс)
09:20 ЮФУ Лаборатория микроэлектроники
09:20 Лаборабория, где прототипировался верилог собственного чипа
10:12 Александр Федотов – Директор передовой инженерной школы (ПИШ) ЮФУ «Инженерия киберплатформ», кандидат технических наук
10:53 Алексей Коломийцев – Руководитель дивизиона «Электроника» ПИФ ЮФУ
15:02 Опенлаб – партнёрская программа доступа к оборудованию университетов и компаний
16:51 Как Бештау работает с университетами
18:35 Новая установка магнетронного напыления из Новосибирска
20:34 Российское значит плохо?
23:17 Бештау открывает нужные двери
24:12 "Ты можешь открыть нужную дверь и получить это бесплатно"
27:16 Объект зависти Олега –установка плазменного удаления кислородом дефектов
27:45 Олег Ильин – Руководитель Инженерного центра «Перспективная ЭКБ» Передовой инженерной школы ЮФУ
28:11 Литограф
28:26 Фотошаблон для литографа
28:42 Грязная "чистая" комната и новое оборудование
30:09 Литограф для фотошаблонов
30:52 Дорогая японская лампа, которая уже импортозамещена
31:51 Первая технологическая зона
33:34 Максим Солодовник Заведующий лаборатории эпитаксиальных технологий, ведущий научный сотрудник электроники и приборостроения ПИШ ЮФУ
34:34 Электродный микроскоп
35:52 Почему ты открыто показываешь производство?
37:45 Зачем Бештау собственный чип для монитора?
40:10 Южный Федеральный округ новый центр микроэлектроники
41:40 Лаборатория робототехнических комплексов
41:54 Владислав Хворост руководитель научно-технологической лаборатории проектирования бортовых систем и робототехнических комплексов ПИШ ЮФУ
43:36 Чип для управления протезами
44:05 Владимир Смирнов – Заведующий кафедрой Радиотехнической электроники и наноэлектроники, заведующий лаборатории Нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов
44:11 Лаборатория Нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов
44:23 Что такое мемристивные наноматериалы?
46:05 Последнее достижение – Микросхема больше 1000 мемристеров
48:17 Микросхема для примитивной нейросети
49:14 Робототехнический комплекс для наладки работы ручных протезов
50:57 СВЧ-лаборатория
51:18 Юханов Юрий Владимирович – Заведующий Кафедрой антенн и радиопередающих устройств ЮФУ
53:47 Самая большая безэховая камера в ВУЗах
55:58 Лаборатория прототипирования
56:29 Ильина Марина Владимировна доктор физ-мат наук, доцент Института нанотехнологий, электроники и приборостроения ЮФУ, заведующая Лаборатории зондовых нанотехнологий
59:02 Почему Бештау выбирает формат опенлаб?
59:50 ПИШ ЮФУ Передовые инженерные школы – федеральный проект образования
01:03:51 Блок про образование
01:04:23 Откуда деньги, кадры и налоговый вычет на инвестициях в образование
01:07:16 Президентский центр Машук
01:08:17 Новая аудитория Бештау в центре знаний Машук
01:10:54 Лекции Владимира в Машуке
01:13:14 Дух творит себе форму
01:15:55 Помогает ли налоговый вычет компаниям
01:19:06 Политехнический институт ДГТУ г. Таганрог
01:21:11 Бештау – пример для других компаний
01:24:11 Собственный BIOS от студентов ДГТУ
01:25:29 Как студенты проектируют мыши для Бештау?
01:25:33 Смелова Ирина студентка 2 курса Политехнического института ДГТУ, специальность Информационные системы и Веб-дизайн
01:26:12 Собственный российский BIOS
01:27:24 Другие места силы
01:28:22 Новолоцкий Алексей Сергеевич – Директор МАОУ школа №115
01:28:36 Из инженерного класса в Университет
01:30:49 Коворкинг по разработке БПЛА в школах
01:34:46 Откуда у двухлетней компании сильные специалисты?
01:36:49 Формирование собственных компетенций в России
01:38:07 Бештау делится разработками
01:39:33 Бештау не выгодно выпускать мышки и клавиатуры
01:41:27 Сила в единстве

VK

ДЗЕН

RUTUBE

BOOSTY

YOUTUBE

@imaxairu Подписаться

В марте 2025 года АО «НПП «ЭСТО» разработали транспортный перегрузочный модуль, созданный в рамках совместной с РФЯЦ-ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова» разработки установки жидкостно-химической обработки полупроводниковых пластин

Проект по созданию модуля перегрузки для установки жидкостной химической обработки стартовал в АО «НПП «ЭСТО» в 2023 году

Данное оборудование характеризуется конструктивной сложностью и высокими требованиями к точности

Специалисты «ЭСТО» выполнили полный цикл работ: от проектирования и выпуска программного обеспечения до изготовления опытного образца

Транспортный перегрузочный модуль линии жидкостного травления осуществляет автоматизированное перемещение полупроводниковых пластин из двух позиций загрузки в одну буферную зону для дальнейшей их перегрузки в процессные ванны

Для модуля перегрузки характерны следующие особенности:

◾️Наличие высоких требований чистоты воздуха внутри модуля;
◾️Исполнительные механизмы с пневмоприводом для повышения плавности хода  и простоты обслуживания при эксплуатации;
◾️Механизм привода робота выполнен с применением серводвигателя для обеспечения высокой точности позиционирования робота.

Модуль стыкуется с головным и технологическими модулями и формирует полноценную установку технохимии

Данный транспортный перегрузочный модуль возможно адаптировать для работы с пластинами 100, 150 и 200 мм

Разработка установки жидкостно-химической обработки имеет большую значимость для отечественного рынка микроэлектроники, поскольку в России подобное оборудование не производится, а в условиях санкционных ограничений привозить такое оборудование крайне затруднительно

АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток»  “значительно  увеличил” объёмы производства микросхем – в кооперации с белорусской компанией «Интеграл – управляющая компания Холдинга Интеграл», говорится в сообщении облправительства по итогам визита на предприятие губернатора Новосибирской области Андрея Травникова, вице-премьера Белоруссии Виктора Каранкевича и чрезвычайного и полномочного посла Беларуссии  Александра Рогожника

Какие -либо производственные параметры не уточняются

Также, следует из сообщения, компания «Интеграл – управляющая компания Холдинга Интеграл» изготавливает для АО «НЗПП Восток» пластины с кристаллами –  используя которые «НЗПП Восток» смог «значительно увеличить» объёмы производства микросхем

Используя оборудование, поставляемое белорусским холдингом «Планар» , АО «НЗПП Восток» разрабатывает и производит для «Планара» УФ-лазеры с длиной волны 257,3 нм

Перспективная номенклатура продукции – совместные разработки Института силовой электроники Новосибирского государственного технического университета и АО «НЗПП Восток»

АО «НЗПП Восток»-  один из крупнейших в России центров разработки и производства микроэлектроники, предприятие полного цикла, выпускающее более 1200 видов продукции: производит интегральные схемы, операционные усилители, фотоприемные устройства и датчики, а также электронной компонентной базы для гражданского применения — цифровые изоляторы и интеллектуальные силовые ключи, датчики излучения, прецизионные операционные усилители, семейство полупроводников и другие

Среди заказчиков  – крупнейшие технологические компании Российской Федерации – Ростех, Роскосмос, Росатом

22 апреля 2025 года в МИЭТ прошёл семинар Ассоциации разработчиков и производителей электроники (АРПЭ), посвящённый вопросам карьерного планирования в электронной промышленности

Мероприятие объединило студентов и представителей ведущих отечественных компаний отрасли

Семинар начался с презентаций компаний-участников, каждая из которых рассказала о себе, своих разработках и возможностях для молодых специалистов

Светлана Тарусина, руководитель отдела маркетинга и развития бизнеса АО «ЗНТЦ» рассказала о ключевых направлениях деятельности и карьерных возможностях для студентов технических специальностей

Участники узнали о востребованных должностях на производстве и о возможностях стажировок

Продолжаем публикацию с семинара МИЭТ, тут про МЦСТ и Эльбрусы:

Даниил Альфонсо, главный специалист по научно-педагогической работе МЦСТ, поделился опытом работы над отечественными процессорами на базе архитектуры «Эльбрус»

Также была подчёркнута важность инженерной школы и кадрового резерва, формируемого в сотрудничестве с вузами

Продолжаем публикацию с семинара МИЭТ, тут про Байкал Электроникс

Андрей Евдокимов, генеральный директор компании «Байкал Электроникс», представил актуальные направления развития и возможности трудоустройства молодых специалистов

Особое внимание уделялось перспективам развития российской элементной базы

Завершил блок выступлений Иван Покровский, исполнительный директор АРПЭ

Он подчеркнул стратегическое значение отрасли, рассказал о целях Ассоциации и призвал студентов смело выстраивать карьеру в электронной промышленности, где особенно востребованы инженерные кадры нового поколения

РОЗЫГРЫШ МЕРЧА БЕШТАУ

Меня снова спрашивают, где взять толстовку с флагами на рукавах.

Бештау не торгует сувенирами.
Но я договорился — будет розыгрыш. Только для своих.

Призовой фонд:
• 5 футболок - победителям №1-5
• 5 кепок - победителям №6-10
• 3 толстовки - победителям №11, 12 и 13

Условия участия:
Подписка на мой канал @imaxairu
Подписка на канал @beshtau_electronics

Итоги — 12 мая в 15:00.

Подписывайся! Выигрывай!

О текущем состоянии отрасли, наиболее актуальных мерах поддержки и том, как планируется изменить принципы финансирования проектов, рассказал замглавы Минпромторга РФ Василий Шпак

Привожу отрывок только про тематику канала:

— Обеспечены ли российские производители необходимым оборудованием и сырьем? Где остаются сложности?

С 2021 года государство активно стимулирует создание суверенных средств и ресурсов производства. Я имею в виду оборудование, материалы, химические вещества необходимые для производства электронных компонентов, а также средства автоматизированного проектирования. В декабре 2023 года прошли испытания два типа новых разработанных установок, включая первую в новейшей истории России установку проекционной литографии для работы с топологиями уровня 350 нм. Это зрелые в мировом масштабе технологии, но и ими обладает всего несколько стран (Нидерланды, Япония, Китай). Сейчас идет процесс контрактации для поставки установки на российские серийные фабрики. В конце 2026 года будет готово следующее поколение такой машины для работы с уровнем топологии до 130 нм, причем в устройстве в качестве источника излучения будет использован российский эксимерный лазер.

Такая же интенсивная работа ведется в обеспечении радиоэлектронной промышленности химией и материалами. К настоящему времени в рамках выполнения ОКР разрабатывается 78 новых материалов, из них с 2024 года получено 34 материала для производства электроники, в том числе линейка гетероструктур для СВЧ-электроники.

В части химических веществ в 2024 году в рамках выполнения НИР организовано серийное производство семи химических веществ, среди которых травильные газы, легирующие агенты, добавки различного назначения. Вместе с тем активно продолжается работа по переходу на отечественные фоторезисты. В 2025 году планируется реализация серийного производства пяти фоторезистов и двух антиотражающих покрытий для микроэлектронной промышленности.
Кроме того, в этом году ожидается готовность еще 10 образцов оборудования, 26 специальных материалов и 56 химических веществ.

С 2023 года в России ведется системная работа по созданию отечественных систем автоматизированного проектирования для проектирования микроэлектроники. Выполняются проекты по созданию трех базовых маршрутов проектирования: цифровых, аналоговых и СВЧ интегральных схем. Каждый из маршрутов объединяет в себе набор специализированных инструментов, охватывающих все этапы разработки: от системного проектирования до финального размещения и трассировки. В общей сложности к 2030 году планируется создание более 200 инструментов по 12 технологическим направлениям.

В 2024 году на базе одного из разработанных инструментов — системы высокоуровневого синтеза — российским дизайн-центром был спроектирован сложно-функциональный блок, предназначенный для задач цифровой обработки сигналов. Это стало важным подтверждением работоспособности и прикладной ценности создаваемых решений.

Кроме того, активно развиваются инициативы по созданию открытых библиотек стандартных ячеек, интеграции отечественных САПР с российскими технологическими процессами производства, а также подготовке специалистов, способных работать в новых средах проектирования.

Как видите, темпы работы высокие. В целом в рамках Комплексной программы к 2030 году мы планируем заместить более 70% средств и ресурсов производства, которые необходимы для функционирования наших фабрик. Мы понимаем, что никто не может закрыть свои потребности самостоятельно на 100%. Поэтому развиваем сотрудничество с дружественными странами.
Имею в виду прежде всего Беларусь, с которой мы уже сейчас ведем ряд совместных разработок.

Таким образом, к 2030 году мы сможем говорить о полноценной технологической независимости от западных проприетарных технологий при производстве электронных компонентов как минимум на уровне топологий 130–90 нанометров.

Что касается более низких топологий (65 нм и ниже), мы уже поставили задачу по пролонгированию Комплексной программы до 2035 года с целью проработки планов конкретных мероприятий в этом направлении

Минпромторг выделил 19 млн руб. на проверку работ по созданию и развитию инструментов систем автоматизированного проектирования (САПР) для изделий микроэлекроники

Тендер в формате открытого конкурса был опубликован 30 апреля 2025 г.

Цель работ состоит в повышении эффективности планирования создания и развития инструментов САПР для разработки изделий электроники и микроэлектроники и контроля качества результатов их выполнения за счет проведения внешней независимой экспертизы на всех основных стадиях реализации проектов: от планирования и подготовки проектов до принятия результатов работ

Работы должны быть выполнены до 30 ноября 2026 г.

Согласно техническому заданию, исполнитель должен будет провести экспертизу результатов третьего этапа ОКР «Создание инструментов САПР для проектирования изделий микроэлектроники», результатов первого этапа ОКР «Программный комплекс реализации цифровых маршрутов базового уровня для проектирования сверхбольших интегральных схем в единой проектной среде», результатов первого этапа ОКР «Разработка базовой версии САПР сверхвысокочастотных А3В5 монолитных и гибридных интегральных схем»

Помимо этого, исполнитель должен будет проверить результаты первого этапа ОКР «Разработка системы автоматизированного проектирования аналоговых микросхем (базовая версия)», результатов второго этапа ОКР «Программный комплекс реализации цифровых маршрутов базового уровня для проектирования сверхбольших интегральных схем в единой проектной среде» и «Разработка базовой версии САПР сверхвысокочастотных А3В5 монолитных и гибридных интегральных схем», а также результатов второго этапа ОКР «Разработка системы автоматизированного проектирования аналоговых микросхем (базовая версия)»

Помимо экспертизы, исполнитель должен будет подготовить предложения по доработке результатов выполненных работ по контракту, а также по отдельным его этапам, в том числе созданного программного обеспечения и его компонентов

А также оказать экспертную поддержку заказчика для приемки результатов выполненной работ и услуги по экспертизе способов охраны результатов интеллектуальной деятельности, созданных в рамках государственного контракта

Минпромторг разработал «дорожную карту» по развитию российских САПР до 2030 г.

К 2030 г. планируется продать 2,6 тыс. единиц ПО

Совокупная выручка от реализации 12 направлений САПР должна достичь 7,2 млрд руб., из них 3,6 млрд руб. выручка за программы для разработки микросхем

В «дорожную карту» по развитию российских САПР до 2030 г. Минпромторг также включил в план ПО для проектирования процессоров 16 нм

Затраты на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (НИОКР) по «дорожной карте» составят 54,6 млрд руб. до 2030 г.

Сейчас российские дизайн-центры в основном используют софт от американских Synopsys и Cadence

Они присоединились к антироссийским санкциям, прекратили продажи и техподдержку

Интервью с Николаем Алексеевичем Шелепиным, д.т.н., руководителем научного направления микроэлектроники, Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, в ежегоднике "Живая электроника России 2025"

В одном из своих недавних интервью вы высказали мысль о том, что для удовлетворения насущных потребностей российского рынка микроэлектронным компаниям не требуются самые современные фотолитографы – достаточно освоить диапазон от 180 до 40 нм и создать задел на будущее. Как в этой связи вы относитесь к заявлению представителя Минпромторга на форуме «Микроэлектроника 2023» о том, что к 2027 г. в России будет освоено серийное производство микропроцессоров по 28-нм нормам на 300-мм пластинах?

-Судя по многочисленным сведениям, почерпнутым из СМИ, план освоения 28-нм технологии на пластинах диаметром 300 мм в 2027 г. действительно существовал и имел основания на успех. Этот план составлялся задолго до 2022 г. и казалось, что есть возможность преодолеть имевшиеся трудности, связанные, главным образом, с санкционными ограничениями. Полагаю, что указанное заявление представителя Минпромторга базировалось именно на тех планах. Теперь же, в условиях жестких тотальных ограничений на поставку оборудования для микроэлектроники, из-за которых даже китайские компании, как правило, не рискуют в открытую сотрудничать с российскими, этот срок будет передвинут на неопределенное время. При этом считаю, что, несмотря на все сложности, эта цель должна оставаться приоритетной для России, поскольку только идущий может осилить дорогу.
Замечу также, что основанием для суждения о неактуальности создания собственных установок литографии с экстремальным ультрафиолетом (EUV) является отсутствие у нас всего остального оборудования для уровней технологий 16–14 нм и ниже, для которых актуально применение EUV. Эти разработки еще не начались, так как для их реализации собственными силами необходимо пройти предыдущие уровни, набраться опыта, добиться положительных результатов и преодолеть ошибки. Кроме того, 28-нм технология осуществляется без помощи EUV-литографов – используются литографы, работающие с длиной волны 193 нм.

Продолжение

Часть 1/7, 2/7, 3/7, 4/7, 5/7, 6/7

Этот вопрос вытекает из предыдущего. Несколько лет тому назад, выступая на форуме по микроэлектронике, вы сказали, что цели, декларируемые в Стратегии развития электронной промышленности до 2030 г., невыполнимы ни по финансированию, ни технически в условиях санкций. Соответственно, требуется поставить иные – реальные задачи. Было ли что-то сделано, чтобы скорректировать эти неосуществимые цели?

- Должен с удовлетворением констатировать, что было сделано очень много. Главное, объем государственных инвестиций в развитие микроэлектроники вырос во много раз и в настоящее время сопоставим с аналогичными инвестициями ряда стран с развитой микроэлектронной промышленностью. На форуме «Микроэлектроника 2023» вице-премьер Д.В. Мантуров сообщил, что государство выделило на развитие отрасли в 2023 г. 147 млрд руб., а в 2024 г. запанирован объем в 2010 млрд руб. В 2020 г. объем финансирования составил всего 10 млрд руб. Разработки начаты по всем направлениям: технологическое оборудование, сверхчистые материалы, системы автоматизированного проектирования, технологии изготовления фотошаблонов и непосредственно самих микросхем. Конечно, российские инвестиции уступают американским или, тем более, китайским, но они многократно больше прежних. И если еще в 2021 г. после прочтения Стратегии состояние российской микроэлектроники можно было выразить словами «застыла в ожидании», то уже в 2022 и, тем более, в 2023 г. можно считать, что российская микроэлектроника «побежала». Вопрос: куда мы добежим к 2030 г.? Кроме всего комплекса научных, технических и технологических проблем, которые необходимо решать, весьма остро возникает проблема, откуда возьмутся сразу много новых высококвалифицированных специалистов для реализации поставленных задач в эти сроки?
Формально «Стратегия развития электронной промышленности до 2030 г.», утвержденная в январе 2020 г., не изменялась. По крайней мере, об этом нет каких-либо сообщений. Но в Минпромторге России разрабатываются конкретные планы по реализации развития микроэлектроники. Весной 2023 г. были утверждены два ключевых для отечественной микроэлектронной индустрии документа – «Концепция технологического развития на период до 2030 г.» и указ Президента РФ «Основы государственной политики России в области развития электронной промышленности на период до 2030 г. и дальнейшую перспективу». Все это доказывает серьезность намерений руководства государства вывести микроэлектронную промышленность на достойный уровень.
Однако решение обозначенных задач в части достижения технологического уровня 28 нм в 2027 г. и 14 нм в 2030 г. при условии невозможности закупок соответствующего технологического оборудования представляется нереальным. Следует заметить, что ключевое технологическое оборудование для производства самых передовых микросхем изготавливается очень ограниченным количеством компаний. К ним относятся: ASML (Голландия), Applied Materials (США), Lam Research (США), KLA (США), Tokyo Electron (Япония), которые шли к этому уровню десятки лет. При этом даже китайские микроэлектронные компании, освоившие уровень 28 нм и меньше, пока осуществляют производство на оборудовании передовых мировых компаний, а не на своем. Кстати, в 2023 г. в Китай импортировано оборудование для производства чипов на 40 млрд долл.

Продолжение

Часть 1/7, 2/7, 3/7, 4/7, 5/7, 6/7

Каковы ваши впечатления от прошлогоднего форума «Микроэлектроника 2024»? Как в целом вы оцениваете качество докладов и актуальность их тематики? Вас не смущает то обстоятельство, что многие работы, представленные докладчиками, все еще остаются на уровне исследований или намерений?
 
- Форум был весьма представительный и хорошо организован. Качество докладов и их актуальность соответствует уровню развития нашей науки и техники в области микроэлектроники. Тот факт, что многие доклады все еще остаются на уровне исследований или намерений, отражает объективную реальность – значительные инвестиции в развитие отрасли начались практически только в 2022 г., и время их отдачи в виде практически реализованных достижений еще не наступило.

Какие главные трудности вы видите на пути обеспечения технологической безопасности нашего государства? Как обойти их? Какие механизмы взаимодействия с правительством следовало бы скорректировать или наладить для более эффективного решения этих задач?
 
- Для ответа на такой непростой вопрос надо бы исходить из определения, что такое «технологическая безопасность государства». К сожалению, мне не удалось найти определение этого понятия в нормативных государственных документах. Поэтому позволю себе свести поставленный вопрос к следующему: понятие технологической безопасности эквивалентно понятию технологической независимости. А от общей технологической независимости перейти к технологической независимости в области микроэлектроники, которая в современных условиях является ключевым фактором общей технологической независимости. На форуме «Микроэлектроника 2024» были дискуссии на тему «Технологическая независимость в микроэлектронике – что это такое?», в том числе на «Круглом столе ТАСС», где был сделан следующий вывод: технологическая независимость в микроэлектронике - это способность государства силами отечественной микроэлектронной промышленности при некотором взаимодействии с микроэлектронными компаниями дружественных стран обеспечить производителей электронной аппаратуры ОПК и КИИ необходимым набором электронной компонентной базы для обеспечения национальной безопасности.
Если исходить из этих определений, то очевиден ответ на вопрос об имеющихся трудностях. Трудность всего одна – поднять микроэлектронную промышленность до указанного уровня. Эту проблему нельзя обойти. Ее необходимо преодолеть. В настоящее время уровень взаимодействия всего микроэлектронного сообщества с правительством – самый высокий, так как основной представитель этого сообщества – президент РАН, который является профессионалом в микроэлектронике.

Насколько, по вашему мнению, китайские производители микроэлектроники способны заменить ушедшие западные компании? Речь не о простой продукции вроде универсальных операционных усилителей, а о высокопроизводительных микроконтроллерах, прецизионных времязадающих микросхемах и т.д.
 
Давайте правильно формулировать вопрос. Западных производителей микроэлектронной продукции в России никогда и не было, в отличие от того же Китая или Малайзии. Но мы могли относительно просто покупать микросхемы западных компаний, хотя и не всегда это соответствовало их законодательству в части получения лицензий (в основном, американскому). За такие нарушения некоторые поставщики даже попадали в американские тюрьмы. После введения жестких санкций эти закупки значительно усложнились. Технологический уровень китайских передовых компаний существенно превосходит российский. К тому же, их гораздо больше. Соответственно, закупленные микросхемы китайских производителей в значительной степени способны заменить микросхемы западных компаний, в том числе высокопроизводительные микроконтроллеры и другие ИС, изготовленные по технологии вплоть до 28 нм. Но далеко не все, которые нам хотелось бы закупать. Следует также понимать, что китайские копании не хотят попасть в ограничительные списки США за сотрудничество с Россией.

Продолжение

Часть 1/7, 2/7, 3/7, 4/7, 5/7, 6/7

Минпромторг уже довольно давно ввел статус «российский производитель», который дает определенные преимущества его обладателю. Насколько эта мера поможет импортозамещению?
 
- Любая господдержка российской микросхемы в виде преференций или других преимуществ перед зарубежными ИС способствует импортозамещению – недавно, например, стало известно о скандальном разоблачении подделки документов на присвоение статуса российской микросхемы.

Параллельный импорт – панацея или паллиатив? Он помогает восстановлению отечественной электроники или, напротив, сдерживает ее развитие? 
 
- Панацеей такой импорт не может быть – в любой момент существует риск его прекращения. Естественно, это паллиатив, поскольку имеется множество востребованных микросхем, которые изготавливаются только компаниями недружественных стран, поддерживающих санкции США. С учетом огромного количества ныне решаемых проблем параллельный импорт – необходимость, которая не мешает развитию отечественной микроэлектроники.

Продолжение

Часть 1/7, 2/7, 3/7, 4/7, 5/7, 6/7

Понятно, что на такое развитие отечественной микроэлектроники, которое позволило бы заметно сократить ее отставание от развитых стран, рассчитывать не приходится, и на то имеется много объективных причин. И все-таки: это окончательный приговор или можно надеяться, например, на то, что объединение инженерных усилий, ресурсов, совместное финансирование в рамках БРИКС позволит со временем освоить необходимые передовые технологии? Или щедрое и хорошо контролируемое госфинансирование позволит реализовать качественно новые подходы и даст мощный толчок развитию микроэлектроники? 
 
- Начнем с середины вопроса. Возможна ли кооперация нескольких стран в рамках БРИКС для создания передовой микроэлектроники? Для этого необходимо, чтобы эти страны оказались готовы к получению такого же уровня санкций США, который испытывает Россия. По-моему, это пока нереально. Кроме того, во главе этой кооперации, очевидно, должна быть страна с наиболее развитой микроэлектроникой. В БРИКС это Китай. Готов ли Китай делиться своими технологиями с другими странами и особенно с Индией? 
Что касается каких-то качественно новых подходов, которые обеспечат революционный рывок развития технологий микроэлектроники, то я в них не верю по двум причинам. Во-первых, физику и технологию не обманешь. Революционными этапами развития было создание транзисторов и планарной технологии изготовления микросхем. Далее всё развивалось и продолжает развиваться, главным образом, за счет уменьшения размеров и усложнения технологии. Во-вторых, более чем за сорокалетний период своей работы в микроэлектронике мне доводилось готовить десятки отзывов на якобы революционные предложения разных организаций и граждан. Среди них не помню ни одного, которое имело бы обоснование для экспериментальной проверки. 
Теперь к началу вопроса. Утверждение, что «… такое развитие отечественной микроэлектроники, которое позволило бы заметно сократить ее отставание от развитых стран, рассчитывать не приходится», на мой взгляд, некорректно. О каких странах мы говорим? И о какой технологии? В 2024 г. всего две корпорации в мире – TSMC (Тайвань) и Samsung (Корея) – изготавливали чипы микросхем с технологическим уровнем 3 нм и наметили выход на уровень 2 нм в 2025–2026 гг. Соглашусь, что пока путь достижения уровня, близкого к тому, которого достигли эти компании, даже не просматривается. Владение такими технологиями стоит очень и очень дорого, и многие компании, бывшие еще 5–10 лет назад в числе передовых, остановились на том или ином предыдущем технологическом уровне, а затем перешли на изготовление чипов на основе своих разработок в TSMC и другие контрактные фабрики (фаундри). Вполне вероятно, и Россия могла бы пойти по такому пути, но передовые фаундри перестали выполнять российские заказы. И теперь мы преодолеваем многократно возросшие проблемы и очень сожалеем об упущенных возможностях. Например, о проекте, предлагавшемся еще в 2009 г., когда мы только завершали запуск технологии уровня 180 нм на пластинах диаметром 200 мм. Проект предполагал строительство нового завода и освоение технологии 65 нм на пластинах 300 мм. По какой-то причине на него в последний момент не нашлось финансирования. А ведь тогда осуществить проект можно было без особых проблем по аналогии с запуском технологии 180 нм, а затем и 90 нм в ОАО «НИИМЭ и Микрон». И оборудование можно было купить, и несколько зарубежных компаний готовы были продать лицензию на технологию. Если бы тот проект был выполнен и поддержано дальнейшее развитие, то уже к 2014 г. в России могла бы появиться 28-нм технология. Однако случилось то, что случилось. 
Считаю, что нынешней целью программы развития нашей отрасли должна быть не погоня за самым передовым уровнем, а достижение технологической независимости в микроэлектронике, как она определена выше.

Продолжение

Часть 1/7, 2/7, 3/7, 4/7, 5/7, 6/7

Как ускорить развитие отечественной микроэлектроники? Как обеспечить тесную связь между разработками НИИ и микроэлектронным производством?
 
- Начнем со второго. Отраслевые «микроэлектронные» НИИ давно стали акционерными обществами и зарабатывают деньги, выполняя заказы государства и других заказчиков на разработку и производство изделий микроэлектроники. Поэтому такой вопрос, например, для НИИ электронной техники (Воронеж) или НИИ молекулярной электроники (Зеленоград) просто отсутствует.
Совсем другое дело – институты Академии наук, финансируемые из бюджета. До недавнего времени они работали по своим программам, зачастую не связанными с практическими задачами промышленности. Кроме того, их оснащенность оборудованием не позволяет осуществлять разработки, которые можно было бы сразу использовать в промышленности. И эта, казалось бы, неразрешимая проблема имеет простое решение, которое, естественно, требует затрат. 
В стране, планирующей значительное развитие микроэлектроники, необходимо наличие общего научного центра, оснащенного типовым технологическим оборудованием для изготовления КМОП-микросхем с технологическим уровнем не хуже 180 или 90 нм с возможностью дальнейшей модификации. Этот центр должен быть укомплектован хорошим аналитическим и контрольно-измерительным оборудованием, иметь достаточное количество свободных ЧПП для размещения новых единиц оборудования при разработке новых технологических процессов, тестировании и испытаний создаваемого технологического оборудования и материалов. Этот центр не должен осуществлять серийное производство какой-либо продукции. Разработки должны сразу передаваться в производство на действующие заводы, которые будут согласовывать технические задания и обеспечивать внедрение. Таким образом, этот центр – некий аналог научного центра IMEC в Бельгии, о котором уже давно мечтают в нашем микроэлектронном сообществе. Полагаю, без такого центра создание передовых российских микроэлектронных технологий и оборудования будет сильно тормозиться. 
Кстати, в 2023 г. пять институтов РАН, занимающихся вопросами микроэлектроники, были переданы в распоряжение Национального исследовательского центра «Курчатовский институт». Видимо, предполагается, что концентрация усилий под единым управлением позволит НИЦ «Курчатовский институт» осуществить какие-то крупные прорывы в отечественной микроэлектронике. Будем надеяться, а время покажет.
Что касается вопроса о том, как ускорить развитие отечественной микроэлектроники, то ответ на него мог бы занять несколько страниц рекомендаций, но я предложу всего четыре. Поскольку основным инвестором в развитие микроэлектроники является государство, то министерство, осуществляющее управление этим процессом от лица государства, должно реализовать:
− квалифицированное управление выделяемыми инвестициями, для чего принимать соответствующие решения с опорой на мнения профессионалов;
− квалифицированный контроль над выполнением исследований и разработок по всем этапам НИОКР;
− принятие цели программы и дорожной карты с указанием четких узлов и временных этапов развития технологий;
− государственную поддержку предприятий и организаций, обеспечивающих выполнение ключевых узлов развития технологий.