Как Советский Союз преодолевал технологический барьер?
В этот раз отчет 1989 года. СССР испытывал острую нехватку сверхбольших интегральных схем (СБИС). Эти интегральные схемы были необходимы для решения задач, поставленных Михаилом Горбачевым в рамках программы промышленной модернизации. Производство СБИС требовало высокого уровня точности, сложности и чистоты, которых СССР не удавалось достичь.
Хотя СССР достиг полномасштабного производства интегральных схем первого поколения в 1984 году (64-разрядные ОЗУ), выход годных изделий оставался ниже 10%, а надежность оставляла желать лучшего. В США этот показатель достигал 85%. Пока СССР испытывал острую нехватку 64-разрядных микросхем, Запад уже производил микросхемы второго поколения СБИС (256-разрядные и 1-мегабитные ОЗУ) в промышленных масштабах. Помним, что средний разрыв составлял около 5-7 лет.
СБИС второго поколения представляли для СССР серьезные производственные проблемы. Полномасштабное производство требовало более совершенного производственного оборудования. Предполагалось, что СБИС второго поколения для СССР – это предел.
У Советов было несколько вариантов приобретения технологий, необходимых для переоснащения микроэлектронной промышленности:
• Ускорение программ внутреннего развития и производства.
• Координация исследовательских и производственных усилий со странами-членами СЭВ.
• Приобретение западных технологий, возможно, частично через совместные предприятия с западными компаниями. А-ля «параллельный импорт».
Последнему мешал КоКом – Координационный комитет по экспортному контролю, который следил за экспортом технологий и товаров с 1949 года.
Предпочтительным решением с точки зрения СССР было переоснащение микроэлектронной промышленности с помощью отечественного производственного оборудования. Однако, несмотря на крупную промышленную инфраструктуру, поддерживающую разработку и производство оборудования для микроэлектронного производства, Советы пока не смогли наладить выпуск высококачественного оборудования в промышленных масштабах.
Анализ советских интегральных схем, произведенных на среднем и высоком уровнях интеграции, подтверждает оценку низкого качества отечественно производимого оборудования. Это указывало на то, что проблемы с производством на уровне СБИС будут еще более серьезными. Это ставило под сомнение технологический рывок к 1990 году.
Чтобы дополнить внутренние усилия, СССР развивали сотрудничество со странами-членами СЭВ. В частности, объединение Carl Zeiss Jena в ГДР являлось ведущим производителем в Восточной Европе и поставляло около 80% своей продукции в другие страны-члены СЭВ, в основном в СССР. В частности, успех ГДР в приобретении критически важного оборудования для производства интегральных схем и технологий и его последующий успех в 1988 году в достижении опытного производства микросхем второго поколения СБИС.
Чтобы компенсировать неспособность СЭВ производить высококачественное оборудование для микроэлектронного производства в промышленных масштабах, Советы продолжат уделять большое внимание приобретению западного оборудования. С начала 1970-х годов СССР вел свой «параллельный импорт» и получил достаточно производственного оборудования для выпуска интегральных схем.
#начердакеЛэнгли
В этот раз отчет 1989 года. СССР испытывал острую нехватку сверхбольших интегральных схем (СБИС). Эти интегральные схемы были необходимы для решения задач, поставленных Михаилом Горбачевым в рамках программы промышленной модернизации. Производство СБИС требовало высокого уровня точности, сложности и чистоты, которых СССР не удавалось достичь.
Хотя СССР достиг полномасштабного производства интегральных схем первого поколения в 1984 году (64-разрядные ОЗУ), выход годных изделий оставался ниже 10%, а надежность оставляла желать лучшего. В США этот показатель достигал 85%. Пока СССР испытывал острую нехватку 64-разрядных микросхем, Запад уже производил микросхемы второго поколения СБИС (256-разрядные и 1-мегабитные ОЗУ) в промышленных масштабах. Помним, что средний разрыв составлял около 5-7 лет.
СБИС второго поколения представляли для СССР серьезные производственные проблемы. Полномасштабное производство требовало более совершенного производственного оборудования. Предполагалось, что СБИС второго поколения для СССР – это предел.
У Советов было несколько вариантов приобретения технологий, необходимых для переоснащения микроэлектронной промышленности:
• Ускорение программ внутреннего развития и производства.
• Координация исследовательских и производственных усилий со странами-членами СЭВ.
• Приобретение западных технологий, возможно, частично через совместные предприятия с западными компаниями. А-ля «параллельный импорт».
Последнему мешал КоКом – Координационный комитет по экспортному контролю, который следил за экспортом технологий и товаров с 1949 года.
Предпочтительным решением с точки зрения СССР было переоснащение микроэлектронной промышленности с помощью отечественного производственного оборудования. Однако, несмотря на крупную промышленную инфраструктуру, поддерживающую разработку и производство оборудования для микроэлектронного производства, Советы пока не смогли наладить выпуск высококачественного оборудования в промышленных масштабах.
Анализ советских интегральных схем, произведенных на среднем и высоком уровнях интеграции, подтверждает оценку низкого качества отечественно производимого оборудования. Это указывало на то, что проблемы с производством на уровне СБИС будут еще более серьезными. Это ставило под сомнение технологический рывок к 1990 году.
Чтобы дополнить внутренние усилия, СССР развивали сотрудничество со странами-членами СЭВ. В частности, объединение Carl Zeiss Jena в ГДР являлось ведущим производителем в Восточной Европе и поставляло около 80% своей продукции в другие страны-члены СЭВ, в основном в СССР. В частности, успех ГДР в приобретении критически важного оборудования для производства интегральных схем и технологий и его последующий успех в 1988 году в достижении опытного производства микросхем второго поколения СБИС.
Чтобы компенсировать неспособность СЭВ производить высококачественное оборудование для микроэлектронного производства в промышленных масштабах, Советы продолжат уделять большое внимание приобретению западного оборудования. С начала 1970-х годов СССР вел свой «параллельный импорт» и получил достаточно производственного оборудования для выпуска интегральных схем.
#начердакеЛэнгли
group-telegram.com/telecommunal/6365
Create:
Last Update:
Last Update:
Как Советский Союз преодолевал технологический барьер?
В этот раз отчет 1989 года. СССР испытывал острую нехватку сверхбольших интегральных схем (СБИС). Эти интегральные схемы были необходимы для решения задач, поставленных Михаилом Горбачевым в рамках программы промышленной модернизации. Производство СБИС требовало высокого уровня точности, сложности и чистоты, которых СССР не удавалось достичь.
Хотя СССР достиг полномасштабного производства интегральных схем первого поколения в 1984 году (64-разрядные ОЗУ), выход годных изделий оставался ниже 10%, а надежность оставляла желать лучшего. В США этот показатель достигал 85%. Пока СССР испытывал острую нехватку 64-разрядных микросхем, Запад уже производил микросхемы второго поколения СБИС (256-разрядные и 1-мегабитные ОЗУ) в промышленных масштабах. Помним, что средний разрыв составлял около 5-7 лет.
СБИС второго поколения представляли для СССР серьезные производственные проблемы. Полномасштабное производство требовало более совершенного производственного оборудования. Предполагалось, что СБИС второго поколения для СССР – это предел.
У Советов было несколько вариантов приобретения технологий, необходимых для переоснащения микроэлектронной промышленности:
• Ускорение программ внутреннего развития и производства.
• Координация исследовательских и производственных усилий со странами-членами СЭВ.
• Приобретение западных технологий, возможно, частично через совместные предприятия с западными компаниями. А-ля «параллельный импорт».
Последнему мешал КоКом – Координационный комитет по экспортному контролю, который следил за экспортом технологий и товаров с 1949 года.
Предпочтительным решением с точки зрения СССР было переоснащение микроэлектронной промышленности с помощью отечественного производственного оборудования. Однако, несмотря на крупную промышленную инфраструктуру, поддерживающую разработку и производство оборудования для микроэлектронного производства, Советы пока не смогли наладить выпуск высококачественного оборудования в промышленных масштабах.
Анализ советских интегральных схем, произведенных на среднем и высоком уровнях интеграции, подтверждает оценку низкого качества отечественно производимого оборудования. Это указывало на то, что проблемы с производством на уровне СБИС будут еще более серьезными. Это ставило под сомнение технологический рывок к 1990 году.
Чтобы дополнить внутренние усилия, СССР развивали сотрудничество со странами-членами СЭВ. В частности, объединение Carl Zeiss Jena в ГДР являлось ведущим производителем в Восточной Европе и поставляло около 80% своей продукции в другие страны-члены СЭВ, в основном в СССР. В частности, успех ГДР в приобретении критически важного оборудования для производства интегральных схем и технологий и его последующий успех в 1988 году в достижении опытного производства микросхем второго поколения СБИС.
Чтобы компенсировать неспособность СЭВ производить высококачественное оборудование для микроэлектронного производства в промышленных масштабах, Советы продолжат уделять большое внимание приобретению западного оборудования. С начала 1970-х годов СССР вел свой «параллельный импорт» и получил достаточно производственного оборудования для выпуска интегральных схем.
#начердакеЛэнгли
В этот раз отчет 1989 года. СССР испытывал острую нехватку сверхбольших интегральных схем (СБИС). Эти интегральные схемы были необходимы для решения задач, поставленных Михаилом Горбачевым в рамках программы промышленной модернизации. Производство СБИС требовало высокого уровня точности, сложности и чистоты, которых СССР не удавалось достичь.
Хотя СССР достиг полномасштабного производства интегральных схем первого поколения в 1984 году (64-разрядные ОЗУ), выход годных изделий оставался ниже 10%, а надежность оставляла желать лучшего. В США этот показатель достигал 85%. Пока СССР испытывал острую нехватку 64-разрядных микросхем, Запад уже производил микросхемы второго поколения СБИС (256-разрядные и 1-мегабитные ОЗУ) в промышленных масштабах. Помним, что средний разрыв составлял около 5-7 лет.
СБИС второго поколения представляли для СССР серьезные производственные проблемы. Полномасштабное производство требовало более совершенного производственного оборудования. Предполагалось, что СБИС второго поколения для СССР – это предел.
У Советов было несколько вариантов приобретения технологий, необходимых для переоснащения микроэлектронной промышленности:
• Ускорение программ внутреннего развития и производства.
• Координация исследовательских и производственных усилий со странами-членами СЭВ.
• Приобретение западных технологий, возможно, частично через совместные предприятия с западными компаниями. А-ля «параллельный импорт».
Последнему мешал КоКом – Координационный комитет по экспортному контролю, который следил за экспортом технологий и товаров с 1949 года.
Предпочтительным решением с точки зрения СССР было переоснащение микроэлектронной промышленности с помощью отечественного производственного оборудования. Однако, несмотря на крупную промышленную инфраструктуру, поддерживающую разработку и производство оборудования для микроэлектронного производства, Советы пока не смогли наладить выпуск высококачественного оборудования в промышленных масштабах.
Анализ советских интегральных схем, произведенных на среднем и высоком уровнях интеграции, подтверждает оценку низкого качества отечественно производимого оборудования. Это указывало на то, что проблемы с производством на уровне СБИС будут еще более серьезными. Это ставило под сомнение технологический рывок к 1990 году.
Чтобы дополнить внутренние усилия, СССР развивали сотрудничество со странами-членами СЭВ. В частности, объединение Carl Zeiss Jena в ГДР являлось ведущим производителем в Восточной Европе и поставляло около 80% своей продукции в другие страны-члены СЭВ, в основном в СССР. В частности, успех ГДР в приобретении критически важного оборудования для производства интегральных схем и технологий и его последующий успех в 1988 году в достижении опытного производства микросхем второго поколения СБИС.
Чтобы компенсировать неспособность СЭВ производить высококачественное оборудование для микроэлектронного производства в промышленных масштабах, Советы продолжат уделять большое внимание приобретению западного оборудования. С начала 1970-х годов СССР вел свой «параллельный импорт» и получил достаточно производственного оборудования для выпуска интегральных схем.
#начердакеЛэнгли
BY Телекоммуналка
Share with your friend now:
group-telegram.com/telecommunal/6365